1) aln ceramic heat sink used for semiconductor 2)High thermal conductivity, good insulation 3)We are factory with trading dep

Property Index of Aluminum Nitride substrates

Property content	Property Index
Thermal conductivity (W/m·k)	≥170
Volume resistivity(Ω·cm)	>1013
Dielectric constant [1MHz, 25°C]	9
Dielectric loss [1MHz,25°C]	3.8*10-4
Dielectric strength(KV/mm)	17
Density(g/cm3)	≥3.30
Surface roughness Ra(µm)	0.3~0.5
Thermal expansivity [20°C to 300°C](10-6/°C)	4.6
Flexural strength (MPa)	320~330
Modulus of elasticity (GPa)	310~320
Moh’s hardness	8
Water absorption(%)	0
Camber(~/25(length))	0.03~0.05
Melting point(°C)	2500
Appearance/color	Dark Gray

The aln ceramic heat sinkwhich has high thermal conductivity of more than 170W/m.k, high 

density, low dielectric loss, good insulation and some other excellent properties. The ALN substrate  is the best choice for a wide range of industrial insulating heat sink material of high power machinery  and equipments such as high frequency equipment substrate, high power transistor module substrate, 

high density hybrid circuits, microwave power devices, power semiconductor devices, power electronic 

devices, optoelectronic components, laser-semi-conductor, LED, IC products, and so on.

Surface roughness can be reached within 0.1µm after being polished. Size tolerance can be controlled 

at around ±0.1mm by laser machine.

Different dimension and thickness are available via laser cut or customize.

aln ceramic heat sink used for semiconductor